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Infineon Technologies BSM150GB120DN2HOSA1
| Artikelnummer: | BSM150GB120DN2HOSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 210A 1250W |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $261.456 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies BSM150GB120DN2HOSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSM150GB120DN2HOSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 150A Supplier Device-Gehäuse Module Serie - Leistung - max 1250 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur 150°C (TJ) NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 11 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 2.8 mA Strom - Kollektor (Ic) (max) 210 A Konfiguration Half Bridge Grundproduktnummer BSM150 BSM150GB120DN2HOSA1 Einzelheiten PDF [English] BSM150GB120DN2HOSA1 PDF - EN.pdf -
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